這篇文章概括地介紹了五十年來離子鍍膜技術(shù)的展開概略，介紹了離子鍍膜技術(shù)的含義、原理、特征、展開和運(yùn)用規(guī)劃。從D.M.Mattox 發(fā)明離子鍍膜技術(shù)以來的五十年中，離子鍍膜技術(shù)習(xí)氣高端商品加工和高新技術(shù)展開的需要，得到了飛速展開。各種鼓舞氣體放電進(jìn)程技術(shù)，前進(jìn)等離子體密度的方法層出不窮，滿意各種需要的新的薄膜材料在各個(gè)運(yùn)用領(lǐng)域得到了廣泛的運(yùn)用。對(duì)國防作業(yè)、宇航作業(yè)、高新技術(shù)商品和美化人民生活做出了突出貢獻(xiàn)。我們等候離子鍍膜技術(shù)繼往開來，在新的五十年中再放榮耀。

　　材料科學(xué)是國家展開的三大支柱之一，薄膜材料更是我國前沿科學(xué)和高新技術(shù)商品的重要基石。制備薄膜材料的技術(shù)跟著高新技術(shù)的展開，運(yùn)用規(guī)劃越來越寬廣。開端制備薄膜技術(shù)有兩大類：膜層粒子來源于固態(tài)物質(zhì)源的真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)和來源于氣態(tài)物質(zhì)源的化學(xué)氣相堆積技術(shù)。真空蒸發(fā)鍍首要運(yùn)用于光學(xué)、半導(dǎo)體芯片的布線等領(lǐng)域；化學(xué)氣相堆積首要運(yùn)用在硬質(zhì)合金刀頭上堆積氮化鈦硬質(zhì)涂層和半導(dǎo)體器件中的單晶硅、多晶硅薄膜、外延生長GaAs 半導(dǎo)體材料。這兩類技術(shù)的特征都是運(yùn)用熱源來加熱固態(tài)膜料和鼓舞氣態(tài)物質(zhì)源分解、化合。蒸發(fā)溫度和化學(xué)氣相堆積溫度在1000~2000 ℃規(guī)劃。制備薄膜的能量來源于熱源。

　　高新技術(shù)的展開需要各種具有格外功用的薄膜。例如：太陽能光熱改換薄膜、光電改換薄膜、超導(dǎo)薄膜、透明導(dǎo)電薄膜、光磁存儲(chǔ)薄膜、光電存儲(chǔ)薄膜、鐵電存儲(chǔ)薄膜以及各種光敏、氣敏、味敏傳感薄膜等。只靠原有技術(shù)已經(jīng)無法制備出這些薄膜，所以展開出把各種氣體放電技術(shù)引進(jìn)薄膜制備進(jìn)程的離子鍍膜技術(shù)，把膜層粒子離子化，然后前進(jìn)膜層粒子的全體能量。這些技術(shù)包括蒸發(fā)型離子鍍、磁控濺射離子鍍和等離子體化學(xué)氣相堆積，總稱離子鍍膜技術(shù)。近些年來這一技術(shù)展開很快。

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